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半導體製程概論(第四版)
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出版社: |
全華科技圖書
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出版日期: |
2020/12 |
頁數: |
360 |
ISBN: |
9789865035228 |
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商品簡介 |
全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 目錄 前言 半導體與積體電路之發展史 0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History) 0-2 電晶體 (Transistor) 0-3 積體電路 (Integrated Circuit) 0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)
第一篇 半導體材料與物理
第1章 晶體結構與矽半導體物理特性 1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic) 1-2 晶體結構 (Crystal Structure) 1-3 物質導電性 (Material Conductivity) 1-4 本質矽,質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law) 1-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 習題 第2章 半導體能帶與載子傳輸 2-1 能帶 (Energy Band) 2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance) 2-3 載子傳輸 (Carrier Transport) 習題 第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性 3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors) 3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide) 3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride) 3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide) 3-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si) 習題
第二篇 半導體元件
第4章 半導體基礎元件 4-1 二極體 (Diode) 4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor) 4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 4-4 互補金氧半場效電晶體 (CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory) 4-5-1 半導體揮發性記憶體 (Semiconductor Volatile Memory) 4-5-2 半導體非揮發性記憶體 (Semiconductor Nonvolatile Memory) 4-6 電阻 (Resistor) 4-7 電容 (Capacitor) 4-8 電感 (Inductor) 習題 第5章 接面能帶圖與費米能階 5-1 半導體狀態密度 (Density of States) 5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor) 5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors) 5-4 接面能帶圖與費米能階 (Junction Band Diagram and Fermi Level) 習題 第6章 積體電路製程與佈局 6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology) 6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology) 6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit) 6-4 設計原則 (Design Rules) 6-5 佈局 (Layout) 第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件 7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET) 7-2 短通道效應 (short-channel effects) 7-2-1 速度飽和效應 (velocity saturation) 7-2-2 通道長度調變效應 (channel-length modulation) 7-2-3 次臨界電流效應 (subthreshold current) 7-2-4 擊穿效應 (punch through) 7-2-5 CMOS栓啟效應 (latch-up) 7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET) 7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET) 7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC) 習題 第8章 高速與高功率電晶體 8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) 8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor) 8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor) 8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 習題 第9章 半導體光電元件 9-1 發光二極體 (light emitting diode) 9-2 雷射二極體 (Laser Diode) 9-3 光感測器 (Photodetector) 9-3-1 p-n光電二極體 (p-n Photodiode) 9-3-2 p-i-n光電二極體 (p-i-n Photodiode) 9-3-3 光電電晶體 (Phototransistor) 9-4 太陽電池(Solar Cell) 9-4-1 PERL太陽電池 (PERL Solar Cell) 9-4-2 串級太陽電池 (Tandem Solar Cell) 9-4-3 非晶太陽電池 (Amorphous Solar Cell) 9-4-4 聚光 (Optical Concentration) 習題
第三篇 積體電路製程與設備
第10章 矽晶棒之生長 10-1 原料配製 (Starting Materials) 10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth) 10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth) 10-4 晶體缺陷(Crystal Defects) 習題 第11章 矽晶圓之製作 11-1 晶體方向(Crystal Orientation) 11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing) 11-3 十二吋晶圓效益分析(Benefit Analysis of 12 Inch wafer) 習題 第12章 化合物半導體晶棒生長 12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth) 12-2 生長 (Gallium Nitride Ingot Growth) 12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth) 12-3-1 高溫物理氣相沉積法 (HTPVD) 12-3-2 高溫化學氣相沉積法 (HTCVD) 習題 第13章 矽磊晶生長 13-1 磊晶膜(Epitaxial Layer) 13-2 矽磊晶生長(Silicon Epiatxy) 13-3 矽磊晶膜生長程序(Growth Process of Si Epitaxial Layer) 習題 第14章 矽磊晶系統 14-1 矽磊晶系統(Epitaxy Systems) 14-2 矽磊晶生長系統之評估(Evaluation of Epitaxial Systems) 習題 第15章 化合物半導體磊晶成長 15-1 砷化鎵磊晶成長(GaAs Epitaxy) 15-1-1 砷化鎵氫化物氣相磊晶 (Hydride Vapor Phase Epitaxy-HVPE) 15-1-2 砷化鎵有機金屬化學氣相磊晶 15-2 氮化鎵磊晶生長(GaN Epitaxy) 15-2-1 氮化鎵氫化物氣相磊晶 (Hydride Vapor Phase Epitaxy-HVPE) |
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