Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchfuhrung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchfuhrung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genugen mussen, um die geforderten Strukturgroen bis zu wenigen Nanometern gleichmaig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Atzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessfuhrung erlautert. Moderne 3D-Bauformen fur Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
